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        Samcoサムコ株式會社

        日期:2022-06-26 13:34
        瀏覽次數:16
        摘要:Samcoサムコ株式會社 設備 化學氣相沉積 原子層沉積 等離子體CVD 液態CVD? 刻蝕 ICP刻蝕 深硅蝕刻 反應離子刻蝕 表面處理 等離子清洗 紫外線臭氧清洗
        Samcoサムコ株式會社

        主要經營設備
        化學氣相沉積

        原子層沉積
        等離子體CVD
        液態CVD®
        刻蝕

        ICP刻蝕
        深硅蝕刻
        反應離子刻蝕
        表面處理

        等離子清洗
        紫外線臭氧清洗
        Samcoサムコ株式會社

        原子層沉積(ALD)

        發現更多

        原子層沉積(ALD)是一種薄膜生長技術,能夠為電子器件(電源和射頻)沉積無針孔和均勻的絕緣體薄膜。ALD在高長寬比溝槽和通孔結構上提供了優異的保形性,在角級的厚度控制,以及基于連續、自限性反應的可調整薄膜成分。Samco提供高度靈活的開放式熱ALD系統AL-1和負載鎖定等離子體增強ALD系統AD-230LP。

        • 等離子體強化的ALD設備 AD-230LP

          **的重復性和穩定性

        • 熱ALD設備 AL-1

          無針孔薄膜沉積

        等離子體CVD

        發現更多

        等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是通過將活性氣體變成等離子體狀態,在目標基材上產生活性自由基和離子,使目標基材發生化學反應而形成薄膜的技術。在化合物半導體和硅半導體的制造過程中,用于沉積作為鈍化膜的氮化硅薄膜(SiN)和作為層間絕緣膜的氧化硅薄膜(SiO?)。

        • 等離子體增強型CVD設備 PD-2201LC

          節省空間的生產設備

        • 等離子體增強型CVD設備 PD-220NL

          緊湊的研發用負載鎖定系統

        • 等離子體增強型CVD設備 PD-3800L

          基于托盤的批量處理

        • 等離子體增強型CVD設備 PD-220N

          緊湊的機身,節省空間的設計

        液體原料CVD

        發現更多

        Samco獨特的液態源CVD?系統使用自偏置沉積技術和液態TEOS源來沉積低應力的SiO2薄膜,從薄膜到極厚的薄膜(高達100 μm)。

        • 液體原料CVD設備 PD-200STL

          負載鎖定系統,*高可達200毫米

        • 液體原料CVD設備 PD-270STLC

          低溫厚膜沉積生產設備

        • 液體原料CVD設備 PD-330STC

          沉積物高達?300 mm

        • 液體原料CVD設備 PD-100ST

          開放式研發設備


        蘇公網安備 32050502000409號

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